Estudio químico-cuántico de los defectos producidos por las vacancias de oxígeno en los cristales de Titanato de plomo PbTiO3.

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dc.contributor.authorMedina, P.-
dc.contributor.authorStashans, Arvids-
dc.contributor.authorSheyla, Serrano-
dc.date.accessioned2015-04-09T19:32:56Z-
dc.date.available2015-04-09T19:32:56Z-
dc.date.issued2008-11-
dc.identifier.urihttp://dspace.ups.edu.ec/handle/123456789/8194-
dc.descriptionSe realiza una investigación teórica mediante simulaciones químico-cuánticas en la estructura cristalina del semiconductor tipo perovskita Titanato de Plomo PbTiO3 en su fase cúbica, generando vacancias de átomos de oxígeno y F–centros. Los desplazamientos de los átomos vecinos, el incremento de las propiedades ópticas y eléctricas, las energías producto de la relajación de la red cristalina y otros nuevos efectos debido a la presencia de estos defectos se detallan y analizan. Además se presenta una comparación con estudios similares e importantes conclusiones de los resultados.en_US
dc.language.isoesen_US
dc.rightsopenAccess-
dc.subjectESTRUCTURA ELECTRÓNICAen_US
dc.subjectPBTIO3en_US
dc.subjectDEFECTOS PUNTUALESen_US
dc.subjectF-CENTROSen_US
dc.titleEstudio químico-cuántico de los defectos producidos por las vacancias de oxígeno en los cristales de Titanato de plomo PbTiO3.en_US
dc.typeArticleen_US
Appears in Collections:Volumen No. 03

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